Anonim
לוגו סמסונג

תהליך ייצור השבבים המתקדם של סמסונג 3 ננומטר עשוי לאפשר מעבדי סמארטפונים הצורכים 50 אחוז פחות חשמל.

סמסונג צופה להתחיל בייצור המוני של שבבי ה- 3nm החל משנת 2021, כך נמסר היום. גרסה משופרת של שבבי ה- 3nm תגיע בשנה שלאחר מכן.

הטכנולוגיה מבטיחה לנטרל מעבדים המשתמשים בכוח של 50 אחוז פחות כוח מתהליך ייצור השבבים הנוכחי של סמסונג 7nm, תוך שהיא מציעה עלייה בביצועים של 35 אחוזים, כך אמרו מנהלים בעסקי המוליכים למחצה של החברה לעיתונאים. מבחינת שטח הפנים, תהליך ה- 3nm יאפשר שבבים שהם קטנים יותר בכ- 45 אחוזים.

אם יצרני מכשירים ישתמשו בטכנולוגיה זה עניין אחר. סמסונג מפתחת אותה כמובילה בענף מעבד המחשבים בתקופה בה TSMC מבוסס טייוואן מייצרת סיליקון עבור אפל, קוואלקום, Nvidia ו- AMD. במהלך הפגישה, החברה עצמה אמרה כי עסק מוליכים למחצה של TSMC גדול פי שלושה משל עצמו.

עם זאת, סמסונג צופה למשוך יותר לקוחות עם הטכנולוגיה הקרובה לייצור שבבים של 3nm. כדי ליצור את הסיליקון של הדור הבא, החברה מסתמכת על ארכיטקטורת הטרנזיסטור "השער מסביב", ממשיך דרכו של טכנולוגיית FinFET.

מנהל השיווק של בית היציקה סמסונג, ראיין לי, אמר כי "מרכז המחקר שלנו נאבק בצורה משמעותית מאוד על דרך למצוא דרך חדשה להפחתת חשמל מעבר ל -3 ננומטר. "הפיתרון שלהם היה שימוש בשער מסביב זו הדרך הטובה ביותר."

קשורים

  • קוואלקום: יותר מ -30 מכשירי 5G שצפויים בשנת 2019 Qualcomm: יותר מ -30 5G מכשירים שצפויים בשנת 2019
  • אינטל יוצאת מעסקי מודם 5G בעקבות עסקת אפל, קוואלקום אינטל יוצאת מעסקי מודם 5G בעקבות עסקת אפל, קוואלקום
  • GPUs של AMD Navi: כל מה שאנחנו יודעים עד כה AMU Navi GPUs: כל מה שאנחנו יודעים עד כה

בגלל החיסכון בחשמל, על טכנולוגיית ה- 3nm לפנות אל ספקי המעבדים הסלולריים, כך אמר ל- PCMag, מהנדס Samsung סמסונג Yongjoo Jeon. החברה מצפה גם כי יצרני מחשוב עם ביצועים גבוהים ישקלו לבנות גם סיליקון בעזרת טכנולוגיה.

עם זאת, סמסונג אינה לבדה בניסיון לפתח את הטכנולוגיה. על פי הדיווחים, TSMC מוציאה 19.5 מיליארד דולר להקמת מפעל חדש לייצור שבבים בגודל 3 ננומטר בטייוואן. אחד הלקוחות הגדולים של TSMC הוא גם AMD, שהתמודדה עם אינטל כדי ליצור שבבים מהירים ויעילים יותר בחשמל.